О собственных планах по выпуску оперативной памяти типа «HBM» (High Bandwidth Memory) в компании Самсунг рассказали на одной из презентаций еще летом прошедшего года.

После того, как на прошедшей неделе комитет JEDEC обнародовал спецификации для 2го поколения памяти с высокой пропускной способностью (HBM2), Самсунг объявила о начале массового производства чипов HBM2. Вместе с тем, они также могут быть использованы компаниями NVIDIA и AMD для существенного поднятия производительности будущих графических адаптеров.

Новая видеопамять память даст возможность организациям NVIDIA и AMD создавать не менее энергоэффективные, «холодные» и малогабаритные видеоадаптеры, с превосходными скоростными характеристиками памяти и ее пропускной способности. Также несложно подсчитать, что микросхемы Самсунг состоят из четырёх 8-Гбит кристаллов. Так называемые новые модули HBM2 могут передавать данные со скоростью 256GBps, что делает их в семь раз скорее, чем лучшие чипы DDR5. Соответственно, 4 таковых микросхемы общим объемом 16 ГБ имеют ПСП в 1 ТБ/с. В материале для прессы также подчеркивается экономичность памяти HBM2 и поддержка алгоритма контроля ошибок (ECC).

Новый пакет DRAM обеспечивает полосу пропускания 256 Гбит/с, что, по имеющимся предварительным сведениям Самсунг, вдвое превосходит подобный показатель пакета HBM1 DRAM.

Кроме того, фирма планирует выпустить пакет 8 ГБ HBM2 DRAM на протяжении 2015-го года. Однако спецификации обновлённой памяти HBM позволяют выпускать стеки объёмом 8 ГБ.